佳能申请背照式双核AF传感器制造专利

　　近日佳能一则传感器制造专利曝光，该专利申请展示了一种制造看起来像是背照式的堆叠式传感器方法，至少该传感器与BSI传感器相同的结构。

　　例如，这是一个前照式传感器与一个背照式传感器;

　　由此可见，两个传感器之间的接线位置非常不同。BSI(背照式传感器)在光电二极管下方具有接线。尽管上面的这张图有些简化，但是却展示了基本原理。

　　如果我们看一下该专利，我们可以清楚地看到传感器的描述类似于(1)的图示，即背照式传感器。

　　这将使佳能进一步提高其传感器的动态范围和灵敏度。

　　如佳能所言;

　　根据本发明，提供一种固定成像装置，该成像装置采用有利的结构制造方法和有利于电荷累积区域或像素的密度的制造方法。

　　日本专利申请 2020-194965