三星积极推进第五代HBM3e:传输速度高达1.228 TB/s
导读: 快科技10月19日消息,三星目前正在加快开发第五代HBM3eShinebolt。 经初步测试,Shinebolt的最大数据传输速度将比上一代有所提升,预计将达到1 228TB s,比SK海力士的HBM3e(最大数据传输速度为1 15TB s)更
快科技10月19日消息,三星目前正在加快开发第五代HBM3e“Shinebolt”。
经初步测试,“Shinebolt”的最大数据传输速度将比上一代有所提升,预计将达到1.228TB/s,比SK海力士的HBM3e(最大数据传输速度为1.15TB/s)更快。
同时“Shinebolt”还采用了最新的12层垂直堆叠方案,能够在单个HBM3e封装上实现高达36GB的容量,而原型版本使用的8层堆叠方案仅实现了24GB的容量。
据悉,HBM(High Bandwidth Memory)属于垂直连接多个DRAM,与DRAM相比显著提升数据处理速度的高附加值、高性能产品。
HBM DRAM产品以HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)、HBM3E(第五代)的顺序开发,其中HBM3e是HBM3的扩展(Extended)版本。HBM被认为是人工智能时代的新一代DRAM。
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