网传小米澎湃P1芯片非自研 南芯半导体发声明：不实传言

　　家电消费网2月8日讯    针对有微博用户表示小米自研的澎湃P1芯片为外部购买的说法，今天，南芯半导体发声明予以否认，称是不实传言。

　　南芯半导体在《关于对小米澎湃P1不实传言的说明》中表示，小米澎湃P1芯片为小米自研设计、南芯半导体代工(内部代号SC8561)。这款芯片具备超高压4:1充电架构，实现了120W单电芯充电，支持1:1、2:1和4:1转换模式，所有模式均可双向导通，可实现有线120W、无线50W、无线反充等多种充电功能。

　　南芯半导体强调，南芯半导体在2021年9月发布的南芯SC8571，为超高压4:2充电架构，可实现120W双电芯充电，其针对超大功率充电需求，支持4:2、2:2两种模式。小米自研的澎湃P1充电芯片与南芯SC8571拓扑结构完全不同，是不同设计、不同功能、不同定位的两颗充电芯片。

　　去年12月，小米发布了自研的第三款芯片澎湃 P1。当时小米创始人雷军称，小米12 Pro搭载澎湃P1充电芯片，行业首次实现“120W 单电芯”充电技术。(石坚)